Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3H200SNFRATL
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3H200S
RD3H200SNFRATL Hakkında
RD3H200SNFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 45V drain-source voltajında 20A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. 10V gate geriliminde 28mΩ maksimum kanal direnci (RDS on) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik voltajı 2.5V olup, ±20V maksimum gate gerilimini tolere eder. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 20W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok