Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3H160SPFRATL

MOSFET P-CH 45V 16A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3H160SP

RD3H160SPFRATL Hakkında

RD3H160SPFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V Vdss (Drain-Source gerilimi) ve 16A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, 50mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 20W güç dissipasyonu kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor denetleyicilerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş işletme aralığına sahiptir. Surface mount montajı için uygun tasarım, kompakt elektronik devreler için elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok