Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3H080SPTL1
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1 Hakkında
RD3H080SPTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir. 10V gate geriliminde 91mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge 9nC olup hızlı komütasyon özellikleri vardır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır, 15W power dissipation kapasitesiyle motor kontrolü, enerji yönetimi, güç dönüştürme ve genel analog/dijital anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok