Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3H080SPFRATL

MOSFET P-CH 45V 8A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3H080SP

RD3H080SPFRATL Hakkında

RD3H080SPFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 91mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bileşen, 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve 15W güç yayılımı kapasitesinde çalışır. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok