Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3H045SPTL1

MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3H045SPTL1

RD3H045SPTL1 Hakkında

RD3H045SPTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, 155mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklıdır. Elektronik cihazlarda güç yönetimi, motor kontrol devreleri, batarya koruma sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 15W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok