Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3H045SPFRATL

MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3H045SPFRAT

RD3H045SPFRATL Hakkında

RD3H045SPFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 45V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, 155mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 3V eşik voltajı ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, pil yönetimi, motor kontrol, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok