Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3G600GNTL
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3G600GNTL
RD3G600GNTL Hakkında
RD3G600GNTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 3.6mΩ düşük on-resistance değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. Ek olarak 2.5V threshold voltajı, 46.5nC gate charge ve 150°C maksimum junction sıcaklığı özellikleri ile motorlar, güç yönetimi, ışıklandırma kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate voltaj aralığı geniş uygulama esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok