Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3G500G
RD3G500GNTL Hakkında
RD3G500GNTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 4.9mΩ (@ 50A, 10V) RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 35W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. ±20V gate gerilimi ve 2.5V threshold gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok