Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3G400GNTL

MOSFET N-CH 40V 40A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3G400G

RD3G400GNTL Hakkında

RD3G400GNTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 40A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 7.5mΩ on-resistance değeri ile güç kaybı minimalize edilerek verimli çalışma sağlanır. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montajına uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücü uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında güvenli çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında işletilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 26W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok