Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3G07BATTL
RD3G07BATTL1 Hakkında
RD3G07BATTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 7.1mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 101W güç dağıtımı kapasitesinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5550 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok