Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3G03BATTL1
PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3G03BATTL1
RD3G03BATTL1 Hakkında
RD3G03BATTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, 19.1mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. 56W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması, motor kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.1mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok