Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCX511N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCX511N25
RCX511N25 Hakkında
RCX511N25, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 250V rated N-Channel MOSFET'tir. 51A sürekli drenaj akımı ve 65mOhm (10V gate voltajında) düşük RDS(on) değeri ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate voltajı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma aralığını destekler. 40W alaşım sıcaklığında güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 25.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok