Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCX200N20
RCX200N20 Hakkında
RCX200N20, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan RCX200N20, 10V gate sürüş geriliminde 130mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 40W (Tc) güç disipasyonunda çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Gate threshold gerilimi 5V (@1mA) ve 1900pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok