Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCX120N20
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCX120N20
RCX120N20 Hakkında
RCX120N20, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 325mΩ maksimum On-direnci ve 40W güç tüketimi özelliği ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. ±30V gate gerilim aralığı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş işletim koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok