Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCX080N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCX080N25
RCX080N25 Hakkında
RCX080N25, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate drive voltajında 600mΩ'luk on-state direnciyle (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 35W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Threshold voltajı 5V, gate charge değeri 15nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok