Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCX051N25
MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCX051N25
RCX051N25 Hakkında
RCX051N25, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim (Vdss) ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 1.36Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. ±30V gate gerilim aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma koşullarına uyum gösterir. TTL/CMOS uyumlu gate drive voltajı (10V) ile standart kontrol devrelerine kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.36Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok