Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCJ510N25TL
MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCJ510N25TL
RCJ510N25TL Hakkında
RCJ510N25TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 51A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum On-resistance değeri ve 10V drive voltajı ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge 120nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 25.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok