Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCJ081N20TL
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCJ081N20TL
RCJ081N20TL Hakkında
RCJ081N20TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ile 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 770mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ve 5.25V eşik gerilimi ile düşük güç kaybı ve kontrollü anahtarlama özellikleri sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi aralığı geniş uygulama yelpazesi sunarken, 40W (Tc'de) maksimum güç yayılımı ile sürücü ve anahtar uygulamalarında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 770mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok