Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCD100N20TL
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCD100N20TL
RCD100N20TL Hakkında
RCD100N20TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. CPT3 (TO-252-3, DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde maksimum 182mOhm on-resistance değerine sahiptir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. 25nC gate yükü ve düşük input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok