Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCD100N19TL
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCD100N19
RCD100N19TL Hakkında
RCD100N19TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 190V drain-source voltajı ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. CPT3 paketinde (TO-252-3, DPak) temin edilen bu komponent, 4V-10V gate sürüş voltajı aralığında çalışır ve maksimum 182mΩ RDS(on) direncine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 20W gücünde (Tc) işletilip, güç kaynakları, motor sürücüler, DC-DC konvertörleri ve switching uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapı yükü (52nC @ 10V) ve kompakt yüzey montajlı tasarımı, modern elektronik devrelerde verimli komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok