Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCD080N25TL
RCD080N25TL Hakkında
RCD080N25TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. 300mOhm maksimum on-state direnç (10V gate gerilimi, 4A dren akımında) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakete sahip olup, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında çalışabilir. Gate charge değeri 25nC ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. Endüstriyel kontrol, AC/DC konvertörler, motor kontrolü ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok