Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RCD051N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RCD051N20TL
RCD051N20TL Hakkında
RCD051N20TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate sürüş geriliminde 760mOhm on-resistance değerine ulaşır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) pakajında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında ve maksimum 20W güç tüketiminde tasarlanmıştır. ±30V gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok