Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0
POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBA250N04AHPF
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0 Hakkında
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250A sürekli dren akımı, 40V dren-kaynak gerilimi ve 0.85mΩ maksimum on direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv endüstrisine uygun tasarımlanmıştır. 175°C çalışma sıcaklığı ve 348W güç tüketimi kapasitesi ile sürücü devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç dağıtım modüllerinde uygulanır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 368 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 125A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok