Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
RBA160N04AHPF

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 Hakkında

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 160A sürekli drenaj akımı ve 40V drenaj-kaynak gerilimi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.25mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen otomotiv endüstrisinde güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 250W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. ±20V gate-source gerilimi ile çalıştırılabilen transistör, yüksek frekanslı ve yüksek akımı gerektiren otomotiv sistemlerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok