Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RAQ045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RAQ045P01TCR
RAQ045P01TCR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RAQ045P01TCR, 12V drain-source gerilimi ile tasarlanmış P-Channel MOSFET transistördür. 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 30mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. 40nC gate charge ve 4200pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrolü, analog switch ve gating uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok