Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RAL025P01TCR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RAL025P01TCR
RAL025P01TCR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RAL025P01TCR, P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 2.5A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, 62mOhm maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sunmaktadır. 4.5V gate sürüş voltajında çalışan transistör, 320mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliğine uygun tasarlanmıştır. 6-SMD yüzey montaj paketinde sunulan RAL025P01TCR, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve load switching işlevlerinde kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir ve endüstriyel otomasyon, elektrik araçları ve güç denetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok