Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8011KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8011KNXC7G
R8011KNXC7G Hakkında
R8011KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drain akımı ve maksimum 450mOhm On-direnci ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 65W güç disipasyon kapasitesi ve ±20V Gate gerilim toleransı, güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel otomasyon ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok