Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8010A
R8010ANX Hakkında
ROHM Semiconductor R8010ANX, 800V dayanıklılığa sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10A sürekli dren akımı ve 560mΩ (Rds On) direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 62nC gate charge ve 1750pF input capacitance özellikleriyle hızlı komutasyon gerektiren güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol sistemleri, enerji yönetimi ve off-line SMPS uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında 40W güç saçabilir. ±30V gate voltajı tolerance'ı ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok