Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8009KNXC7G
R8009KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8009KNXC7G, 800V drain-source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde, endüstriyel kontrol sistemlerinde ve elektrik şebeke uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bileşen, 150°C çalışma sıcaklığında 59W güç dağıtımı yapabilmektedir. 600mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve 27nC kapı yükü sayesinde sürücü devresi tasarımı kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok