Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8008ANX
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8008AN
R8008ANX Hakkında
R8008ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.03Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 39nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. İletim sıcaklığı 150°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 50W güç tüketebilir. Enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.03Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok