Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8008ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8008ANJ
R8008ANJFRGTL Hakkında
R8008ANJFRGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 1.03Ω maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile güç disipasyonu konusunda verimli çalışma sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge karakteristiği (38nC @ 10V) hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, AC/DC konvertörler, aydınlatma kontrol sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.03Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok