Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8007AND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8007AND3F
R8007AND3FRATL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8007AND3FRATL, 800V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET'tir. 7A sürekli drenaj akımı ve 1.6Ω maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde gelen bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir ve 140W güç dağılması yapabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreler ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 28nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok