Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8006KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8006KNXC7G
R8006KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8006KNXC7G, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 6A sürekli drenaj akımı ile güç dönüştürme, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-220 paket içinde sunulan bileşen, 900mΩ RDS(on) (3A, 10V) ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 52W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketim elektroniğinde geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok