Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8006KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8006KND3TL1
R8006KND3TL1 Hakkında
R8006KND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajı paketi içerisinde gelen bu bileşen, hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. Maksimum 900mOhm On-Direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 22nC Gate Charge ve 650pF Input Capacitance değerleri ile sürücü devresine minimum yük oluşturur. ±20V Gate-Source gerilim aralığında çalışabilen bu FET, endüstriyel anahtarlayıcı, güç yönetimi, motor kontrolü ve yüksek gerilim konvertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok