Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8005ANX
MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8005
R8005ANX Hakkında
R8005ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılır. 2.08Ω maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile çok çeşitli uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.08Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok