Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8005ANJGTL
NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8005
R8005ANJGTL Hakkında
R8005ANJGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 800V/5A N-Channel Power MOSFET'dir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 2.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 120W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. ±30V kapı voltaj aralığı ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. 20nC kapı yükü ile hızlı anahtarlamayı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok