Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8005ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8005ANJ
R8005ANJFRGTL Hakkında
R8005ANJFRGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevlerini gerçekleştirir. 2.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 D²Pak paket tipinde sunulan cihaz, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok