Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8003KNXC7G
800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8003KNXC7G
R8003KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8003KNXC7G, 800V Drain-Source gerilim ile çalışabilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 3A sürekli Drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8Ω maksimum ON direnci (10V, 1.5A'de) ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 150°C'ye kadar çalışabilme kapasitesi sayesinde ısıl ortamlarında da güvenilir performans sunar. 11.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok