Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8003KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8003KND3TL
R8003KND3TL1 Hakkında
R8003KND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde orta güç anahtarlama işlemleri için uygundur. 10V gate sürüş geriliminde 11.5nC gate yükü ve 300pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD pakajında sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Ta) |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok