Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8002KNXC7G
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8002KNXC7G
R8002KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8002KNXC7G, 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-220FM paketinde sunulan bu transistör, 1.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.2Ω maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde 800mA'da) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 7.5nC gate charge ve 140pF input capacitance değerleri hızlı komutasyon özelliği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 28W güç dağıtabilir. Endüstriyel şarj kontrolörleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 4.5V eşik gerilimi ile güvenilir anahtar kontrolü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok