Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8002KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8002KND3TL
R8002KND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor R8002KND3TL1, 800V dayanıklı high-speed switching N-channel MOSFET transistördür. 1.6A sürekli dren akımı ve 4.2Ohm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama görevlerini gerçekleştir. 10V gate sürülme voltajında 7.5nC gate yükü ve 140pF input kapasitansiyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığı sunar. 30W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile TO-252 DPak yüzey montajlı paketinde sunulur. Endüstriyel güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252GE |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok