Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8002CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8002CND3FR
R8002CND3FRATL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8002CND3FRATL, 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu transistör, 2A sürekli drain akımı kapasitesine ve 4.3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bileşen, ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 69W güç harcayabilen R8002CND3FRATL, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12.1nC gate yükü ve 240pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok