Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8002ANJGTL
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8002
R8002ANJGTL Hakkında
R8002ANJGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 800V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.3Ω maksimum drain-source on-direnç (Rds On) ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 62W güç dağıtım kapasitesi ve ±30V gate gerilim aralığı ile endüstriyel kontrol, enerji dönüşümü ve motor sürücü uygulamalarına uygundur. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulur. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok