Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R8001
R8001CND3FRATL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R8001CND3FRATL, 800V drain-source gerilim ile çalışabilen N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 1A sürekli dren akımı kapasitesine ve 36W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 8.7Ω (10V, 500mA) on-state dirençi ile düşük enerji kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunan bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok