Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6576KNZ4C13
650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6576
R6576KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6576KNZ4C13, 650V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 76A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 165nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon döngülerine olanak tanır. İnverterler, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 735W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 44.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.96mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok