Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6576ENZ4C13
650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6576ENZ4C13
R6576ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6576ENZ4C13, 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 76A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 260nC gate charge ve 6500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Yüksek güç disipasyonu kapasitesi (735W) sayesinde endüstriyel güç dönüştürücüleri, enerji yönetimi sistemleri, UPS cihazları ve elektriksel motor kontrollerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol gerilimi aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 735W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 44.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok