Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6547KNZ4C13

MOSFET N-CH 650V 47A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
R6547KNZ4C

R6547KNZ4C13 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6547KNZ4C13, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 47A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V drive voltajında 80mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 480W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. Düşük gate charge (100nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25.8A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.72mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok