Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6547ENZ4C13

650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
R6547ENZ4C

R6547ENZ4C13 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6547ENZ4C13, 650V Drain-Source gerilimi ve 47A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu güç transistörü, 80mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 480W güç dağıtım kapasitesi ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 150nC gate charge ve 3800pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, UPS sistemleri ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25.8A, 10V
Supplier Device Package TO-247G
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.72mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok