Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6535KNZC8
MOSFET N-CH 650V 35A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6535KNZC8
R6535KNZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6535KNZC8, 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 115mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 102W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile AC/DC konvertörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer bulur. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına ve ±20V gate gerilimi aralığına sahiptir. Through-hole montajı ile PCB entegrasyonu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok