Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6535KNX3C16

650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
R6535KNX3C16

R6535KNX3C16 Hakkında

ROHM Semiconductor R6535KNX3C16, 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, 35A sürekli dren akımı ve 115mΩ maksimum Rds(on) değeri ile medium-voltage uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 72nC gate charge ve düşük input kapasitansı (3000pF @ 25V) ile hızlı anahtarlama gerekli devrelerde tercih edilir. Sınır sıcaklığı 150°C, maksimum güç kayıpı 370W olup, endüstriyel motor denetimi, güç dönüştürücüler, solar inverter ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. ±20V Vgs aralığında güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 18.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok